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メーカー概要 | |||
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SIGETRONICS SIGETRONICS社は2008年に韓国で設立された特殊な半導体デバイスや材料にスポット を当てた企業です。 同社の主要なデバイスはSi、SiGe、化合物半導体等を用いた特殊な半導体装置および材料で開発されています。同社の低価格なファストリカバリダイオードはTO-220Fパッケージであるので、既存品からの置換えも簡単です。ショットキーバリア/ツェナーダイオードは様々な構造、サイズを取り揃え、用途に応じてご利用頂けます。これまで開発、供給された製品の多くは電源、通信モジュール、端末、システム、インフラ構造のために使用されています。今後も情報通信社会の基盤を支え重要な役割を果たすデバイスを開発して参ります。 |
◆SIGETRONICS社製品英文カタログ PDF 3.7MB |
ファストリカバリダイオード ・高ブレークダウン電圧 : VRRM=300~600V ・高速な逆回復時間 : 35ns以下 ・低順方向電圧降下 : 1.9V以下 ・低リーク電流 ・TO-220F-2P パッケージ ・SMPS用整流器、コンバータ及びモータ制御回路の フリーホイールダイオード等の用途 | ![]() |
ショットキーバリアダイオード ・高ブレークダウン電圧 :VRRM=40~200V ・低順方向電圧降下 : 0.95V以下 ・低リーク電流 ・SMPS用整流器、パワーインバータ及びコンバータ等の用途 | ![]() |
ツェナーダイオード ・低リーク電流:100nA以下 ・低微分抵抗 ・高いESD耐圧 ・一方向、双方向等 ・上部電極:金 ・下部電極:金 ・各種超小型サイズ チップサイズ : 0.195(±0.02) mm x 0.195(±0.02) mm等 厚み : 125 ± 20 um等 Pad size : 0.14(±0.01) mm x 0.14(±0.01) mm等 | ![]() |
◆SIGETRONICS社製品英文カタログ PDF 3.7MB |
■Diode
Fast Recovery Diode
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Schottky Barrier Diode |
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Zener Diode |
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